| 高压LDMOS功耗的分析 |
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| 引用本文： | 吴秀龙,陈军宁,柯导明,孟坚. 高压LDMOS功耗的分析[J]. 半导体技术, 2006, 31(10): 770-773,786 |
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| 作者姓名： | 吴秀龙 陈军宁 柯导明 孟坚 |
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| 作者单位： | 安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥,230039 |
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| 摘 要： | 利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况.
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| 关 键 词： | 横向双扩散金属氧化物半导体 功耗 数值模拟 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）10-0770-04 |
| 收稿时间： | 2006-04-05 |
| 修稿时间： | 2006-04-05 |
Analysis of High Voltage LDMOS Power Dissipation |
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| WU Xiu-long,CHEN Jun-ning,KE Dao-ming,MENG Jian. Analysis of High Voltage LDMOS Power Dissipation[J]. Semiconductor Technology, 2006, 31(10): 770-773,786 |
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| Authors: | WU Xiu-long CHEN Jun-ning KE Dao-ming MENG Jian |
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| Affiliation: | Institute of Electronic Science and Technology, Anhui University, Hefei 230039 , China |
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| Abstract: | LDMOS (lateral double-diffused MOS) was simulated by 2D semiconductor numeri- cal simulation software MEDICI, using sectional models, the resistance of each portion and the total resistance of LDMOS were worked out. The resistance changing with the device structure parameters or the bias voltage was discussed. The main power dissipation area and its changing situations were given. |
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| Keywords: | LDMOS power dissipation numerical simulation |
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