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| 超精细图案光刻技术的研究与发展 | |
| 引用本文： | 赵猛,张亚非,徐东,王印月.超精细图案光刻技术的研究与发展[J].微细加工技术,2002(4):1-6. |
| 作者姓名： | 赵猛 张亚非 徐东 王印月 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学微纳米研究院,上海,200030;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 2. 上海交通大学微纳米研究院,上海,200030 3. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
| 摘 要： | 根据国内外研究和发展现状，对有望突破100nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述，其中包括曝光技术、掩模技术、光学系统改进和以离轴照明、相位移掩模、多重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等。 |
| 关 键 词： | 超精细图案 光刻 分辨率 曝光技术 掩模技术 光学系统 分辨率增强技术 半导体 |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)04-0001-06 |
| 修稿时间： | 2002年7月4日 |
Research and Development of Superfine Pattern Lithography Technology |
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| ZHAO Meng ,ZHANG Ya-fei ,XU Dong ,WANG Yin-yue.Research and Development of Superfine Pattern Lithography Technology[J].Microfabrication Technology,2002(4):1-6. | |
| Authors: | ZHAO Meng ZHANG Ya-fei XU Dong WANG Yin-yue |
| Affiliation: | ZHAO Meng 1,2,ZHANG Ya-fei 1,XU Dong 1,WANG Yin-yue 2 |
| Abstract: | According to the current status of research and development on the lithography technology some key techniques that are promising to carry out superfine pattern with the line width of 100 nm or less are reviewed, including super resolution exposure technology, mask technology, improvement on optical system and technologies of resolution enhancement, such as off-axis illumination, phase shift mask, multiple-filter and figure mathematical calculations. |
| Keywords: | superfine pattern lithographic resolution exposure technology mask technology optical system technology of resolution enhancement |
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