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| 表面反型结构的紫硅光电探测器 | |
| 引用本文： | 姚杰.表面反型结构的紫硅光电探测器[J].仪表技术与传感器,1980(5). |
| 作者姓名： | 姚杰 |
| 作者单位： | 中山大学 |
| 摘 要： | 采用常规扩散方法形成PN结的普通硅光电二极管,结深为几个微米,光谱响应灵敏度的峰值约在8500埃左右,短波响应很低,当4500埃时,几乎无响应。其原因主要是两方面,一是硅材料质量和工艺水平,即硅单晶或外延层复合中心较多;或扩散杂质的表面浓度太高和晶格缺陷多,工艺过程杂质 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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