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| 纳米硅薄膜的Raman光谱 | |
| 引用本文： | 徐刚毅,王天民,李国华,王金良,何宇亮,马智训,郑国.纳米硅薄膜的Raman光谱[J].半导体学报,2000,21(12). |
| 作者姓名： | 徐刚毅 王天民 李国华 王金良 何宇亮 马智训 郑国 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学材料科学系,兰州,730000 2. 兰州大学材料科学系,兰州,730000;北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京,100083 3. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083 4. 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京,100083 5. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
| 摘 要： | 通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值.X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值.晶格平移对称性的破缺还体现在,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加,喇曼谱中TA、LA振动模的相对散射强度增加. |
| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 喇曼谱 声子限制模型 |
Raman Spectra of Nanocrystalline Silicon Films |
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| Keywords: | |
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