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| MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正 | |
| 引用本文： | 孙自敏,刘理天,李志坚.MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正[J].半导体学报,2000,21(2). |
| 作者姓名： | 孙自敏 刘理天 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所北京 100084 |
| 摘 要： | 建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行MOSFET电路设计所必需的.在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米MOSFET衬底电流的解析模型，模型公式简单.对模型进行了验证，研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响，并分析了模型中拟合因子的物理意义. |
| 关 键 词： | MOSFET 衬底电流 深亚微米 |
Modification of MOSFET's Substrate Current Model in Deep Submicrometer Regime |
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