| InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管 |
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| 引用本文： | 王晓晖,刘祥林,陆大成,袁海荣,韩培德,汪度. InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管[J]. 半导体学报, 2000, 21(7) |
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| 作者姓名： | 王晓晖 刘祥林 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增.
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| 关 键 词： | 单量子阱 绿光LED MOVPE |
InGaN/GaN Single Quantum Well Structures Green Light-Emitting Diodes |
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| WANG Xiao-hui,LIU Xiang-lin,LU Da-cheng,YUAN Hai-rong,HAN Pei-de,WANG Du. InGaN/GaN Single Quantum Well Structures Green Light-Emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(7) |
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| Authors: | WANG Xiao-hui LIU Xiang-lin LU Da-cheng YUAN Hai-rong HAN Pei-de WANG Du |
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