| 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构 |
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| 引用本文： | 翟光杰,杨建树,陈显邦,王学森. 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构[J]. 半导体学报, 2000, 21(4) |
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| 作者姓名： | 翟光杰 杨建树 陈显邦 王学森 |
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| 作者单位： | 香港科技大学物理系，香港九龙清水湾 |
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| 基金项目： | 香港研究资助局资助项目 |
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| 摘 要： | 利用扫描隧道显微镜(STM)等分析手段，我们对Si(111)在NH3气氛下氮化后的表面结构进行了研究.Si(111)在1075K暴露于NH3后，表现所形成的氮化硅存在周期为1.02nm的(“8/3×8/3”)再构，当温度提高到1125K以上时，表面出现周期为3.07nm的超结构.这两种表面超结构都可以形成“8×8”低能电子衍射花样.系统的研究证明3.07nm超结构是在Si(111)表面形成晶态β-Si3N4薄膜(0001)表面的4×4再构，而1.02nm周期是Si(111)表面未获得有效氮化的一种结构.
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| 关 键 词： | 硅 氮化硅 表面结构 扫描隧道显微镜 低能电子衍射 |
Surface Structures of Silicon Nitride Thin Films on Si (111) |
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