| 大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器 |
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| 引用本文： | 王占国,刘峰奇,梁基本,徐波,丁鼎,龚谦,韩勤.大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器[J].半导体学报,2000,21(8). |
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| 作者姓名： | 王占国 刘峰奇 梁基本 徐波 丁鼎 龚谦 韩勤 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用分子束外延技术和S-K生长模式,系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化.研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器:室温连续输出功率大于3.5W,室温阈值电流密度218A/cm2,0.61W室温连续工作寿命超过3760小时.
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| 关 键 词： | 量子点 空间有序 量子点激光器 |
High Power In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Laser |
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| WANG Zhan-guo,LIU Feng-qi,LIANG Ji-ben,XU Bo,DING Ding,GONG Qian,HAN Qin.High Power In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(8). |
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| Authors: | WANG Zhan-guo LIU Feng-qi LIANG Ji-ben XU Bo DING Ding GONG Qian HAN Qin |
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