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| 离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度 | |
| 引用本文： | 刘爽,宁永功,杨忠孝,陈艾,熊平,杨家德. 离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度[J]. 半导体学报, 2000, 21(10) |
| 作者姓名： | 刘爽 宁永功 杨忠孝 陈艾 熊平 杨家德 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学信息材料工程学院，成都 610054 2. 重庆光电技术研究所，重庆 400060 |
| 摘 要： | PtSi肖特基二极管的势垒高度制约PtSi红外探测器的截止波长和量子效率.在PtSi/Si界面注入In+、B+，采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应，用Ar气保护热处理消除注入损伤，附加掩膜层控制离子注入深度，成功地将PtSi肖特基二极管的势垒高度降低到0.15eV. |
| 关 键 词： | PtSi 肖特基二极管 势垒高度 离子注入 |
Reducing Barrier Height of PtSi Schotty Diode Using Ion Injection Doping |
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