| UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 |
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| 引用本文： | 成步文,李代宗,黄昌俊,于卓,张春晖,王玉田,余金中,王启明. UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料[J]. 半导体学报, 2000, 21(3) |
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| 作者姓名： | 成步文 李代宗 黄昌俊 于卓 张春晖 王玉田 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以Si2H6和GeH4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Sil-xGex合金材料和Si1-xGex/Si多量子阱结构.用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究.结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差为3.31％，合金组分x值的平均偏差为2.01％；Si1-xGex/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si1-xGex/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在.
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| 关 键 词： | SiGe 异质结 UHV/CVD |
Growth of SiGe/Si Heterostructures by UHV/CVD |
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