| 高温Al0.3Gao.22In0.48P/GaAs HBT电流增益的计算分析 |
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| 引用本文： | 吴杰,夏冠群,束为民,顾伟东,张兴宏. 高温Al0.3Gao.22In0.48P/GaAs HBT电流增益的计算分析[J]. 半导体学报, 2000, 21(1) |
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| 作者姓名： | 吴杰 夏冠群 束为民 顾伟东 张兴宏 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市应用材料研究与发展基金 |
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| 摘 要： | 建立了Al0.3Ga0 22In0.48P/GaAs异质结双极型晶极管(HBT)中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了HBT电流增益随温度变化的模拟。随着温度上升，小电流时电流增益下降较多，而大电流时电流增益基本保持不变.模拟表明，小电流下电流增益的下降主要是由eb结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的；而大电流下电流增益直至723K下降仍小于10％.最高工作温度可达848K.由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响，模拟结果较为符合实际情况，可为研制高性能HBT器件所需材料提供参考依据。
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| 关 键 词： | 电流增益 HBT AlGaInP/GaAs 高温 |
Analysis of Current Gain in Al0. 3Ga0. 22In0. 48P/GaAs HBT at High Temperature |
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