| 有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光 |
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| 引用本文： | 顾沂,吴兴龙,唐宁,鲍希茂.有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光[J].半导体学报,2000,21(2). |
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| 作者姓名： | 顾沂 吴兴龙 唐宁 鲍希茂 |
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| 作者单位： | 南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学物理系南京 210093 |
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| 摘 要： | 在488nm的Ar+激光激发下，Si覆盖的部分氧化多孔硅(POPS)的光致发光谱(PL)在1.78eV处展示了一个稳定的PL峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度.使用X射线衍射、Raman散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究.结果表明，这个增强的PL峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合，也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合.通过与Ge覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较，我们认为这个稳定增强的PL峰起源于氧相关缺陷中心的光学跃迁.
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 部分氧化 |
Origin of Enhanced Photoluminescence in Si-Covered POPS |
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