|
|||||
|
|
| 电迁移与工艺相关的关系 | |
| 引用本文： | 焦慧芳,孔学东,贾新章,孙青,扬文,徐征.电迁移与工艺相关的关系[J].半导体学报,2000,21(9). |
| 作者姓名： | 焦慧芳 孔学东 贾新章 孙青 扬文 徐征 |
| 作者单位： | 1. 信息产业部电子五所,广州,510610 2. 西安电子科技大学,西安,710071 3. 华晶电子集团公司中央研究所,无锡,214035 |
| 摘 要： | 针对金属化电迁移,进行了失效机理与工艺相关性的研究;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系.金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致.提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法. |
| 关 键 词： | 电迁移 金属化 可靠性 数学分析 |
Relationship Between Electromigration and Process |
|
| JIAO Hui-fang,KONG Xue-dong,JIA Xin-zhang,SUN Qing,YANG Wen,XU Zheng.Relationship Between Electromigration and Process[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(9). | |
| Authors: | JIAO Hui-fang KONG Xue-dong JIA Xin-zhang SUN Qing YANG Wen XU Zheng |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |