| 半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应 |
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| 引用本文： | 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J].半导体学报,2000,21(1). |
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| 作者姓名： | 刘汝萍 夏冠群 赵建龙 翁建华 张美圣 郝幼申 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所一室 上海 200050 |
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| 摘 要： | 设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAs MESFETs器件。研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大。
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| 关 键 词： | MESFET 背栅效应 GaAs |
Back-Gating Effect of GaAs MESFET on Undoped SI-GaAs |
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