| CdF2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响 |
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| 引用本文： | 额尔敦朝鲁,肖景林,李树深. CdF2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响[J]. 半导体学报, 2000, 21(3) |
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| 作者姓名： | 额尔敦朝鲁 肖景林 李树深 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古民族师范学院物理系内蒙古通辽市 028043
2. 半导体超晶格国家重点实验室北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用改进的Huybrechts线性组合算符和变分方法，研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响，得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律.对CdF2半导体，计算了不同支声子与电子的相互作用对极化子有效质量和自陷能的贡献.
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| 关 键 词： | 电子-声子耦合 极化子 CdF2 |
PapersInfluence of Electron-Surface Phonon Strong-Coupling on Properties of Polaron in CdF2 Semiconductor Slab |
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