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GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱
引用本文:代作晓,陆书龙,赵明山,李国华.GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱[J].半导体学报,2000,21(11).
作者姓名:代作晓  陆书龙  赵明山  李国华
作者单位:曲阜师范大学激光研究所,曲阜,273165
基金项目:教育部科学技术研究项目
摘    要:介绍了一种新型的空间调制光谱技术差分反射(DR)光谱技术.利用振动光束差分反射测试系统,获得了GaAs/AlGaAs多量子阱材料的DR谱,初步分析了DR信号的产生机制.通过与材料的PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析,论证了DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性,并从实验角度证明了GaAs/AlGaAs多量子阱材料的DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征.

关 键 词:多量子阱  GaAs/AlGaAs  差分反射光谱

Differential Reflectance Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells
DAI Zuo-xiao,LU Shu-long,ZHAO Ming-shan,LI Guo-hua.Differential Reflectance Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(11).
Authors:DAI Zuo-xiao  LU Shu-long  ZHAO Ming-shan  LI Guo-hua
Abstract:
Keywords:
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