| In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 |
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| 引用本文： | 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. In2O3：Sn和ZnO：Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报, 2000, 21(4) |
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| 作者姓名： | 陈猛 白雪冬 黄荣芳 闻立时 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所，沈阳 110015 |
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| 基金项目： | 辽宁省沈阳市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3，简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO，简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析，研究了薄膜晶格常数畸变的原因，同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制.结果表明，低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于Sn2+对In3-的替换，导电电子则由氧缺位提供；高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Sn4+对In3+的替换，导电电子则主要由Sn4+取代In3+后提供.低温ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力，导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致，即由Al3+对Zn2+的替换和氧缺位两者共同提供
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| 关 键 词： | 导电薄膜 In2O3：Sn ZnO：Al 结构 导电机制 |
Structure and Conductive Mechanism of ITO and ZAO Films |
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