| 不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应 |
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| 引用本文： | 任迪远,陆妩,郭旗,余学锋,严荣良,胡浴红,王明刚,赵元富. 不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应[J]. 半导体学报, 2000, 21(9) |
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| 作者姓名： | 任迪远 陆妩 郭旗 余学锋 严荣良 胡浴红 王明刚 赵元富 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011
2. 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 介绍了在相同工艺条件下,N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况.结果表明:由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制;而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因.
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| 关 键 词： | CMOS 运算放大器 电离辐射效应 氧化物电存 界面态 |
Total Dose Radiation Effects of CMOS Operational Amplifier with Different Structures |
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| REN Di-yuan,LU Wu,GUO Qi,YU Xue-feng,YAN Rong-liang,HU Yu-hong,WANG Ming-gang,ZHAO Yuan-fu. Total Dose Radiation Effects of CMOS Operational Amplifier with Different Structures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(9) |
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| Authors: | REN Di-yuan LU Wu GUO Qi YU Xue-feng YAN Rong-liang HU Yu-hong WANG Ming-gang ZHAO Yuan-fu |
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