| 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全T作区 |
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| 引用本文： | 张昌利,陈治明,闵源基,金相哲,朴钟文,金南均,金垠东. 双MOS门极控制的EST的开关特性和安全T作区[J]. 半导体学报, 2000, 21(3) |
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| 作者姓名： | 张昌利 陈治明 闵源基 金相哲 朴钟文 金南均 金垠东 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学西安 710048
2. 韩国电气研究所韩国 641-600 |
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| 摘 要： | 用二维MEDICI商用器件模拟软件对双MOS门极控制的发射极开关晶闸管EST(Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区FBSOA(Forward Biased Safe-Operation-Area)及其关断动态的电流分布进行了模拟研究.证明该器件采用P型转向器(diverter)与双MOS门极相结合的结构使得空穴电流分流从而显著地提高了EST的开关能力，其FBSOA也有明显展宽.
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| 关 键 词： | 开关特性 安全工作区 双MOS门极控制EST |
Switching Performance and Safe-Operation-Area for MOS Dual-Gated Emitter-Switched Thyristor |
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