| GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量 |
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| 引用本文： | 孙伟,田小建,孙建国,衣茂斌,张慕义,张玉清,马振昌.GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量[J].半导体学报,2000,21(10). |
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| 作者姓名： | 孙伟 田小建 孙建国 衣茂斌 张慕义 张玉清 马振昌 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子工程系，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，长春 130023
2. 河北半导体研究所，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 用多触头微波探针，对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选，测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源，采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪.检测了GaAs单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形.
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| 关 键 词： | 电光采样 在片测量 单片集成电路 增益开关激光器 微波探针 |
On-Wafer Testing of GaAs Monolithic Integrated Laser-Diode Driver |
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