| 计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型 |
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| 引用本文： | 张鸿欣.计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型[J].半导体学报,2000,21(3). |
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| 作者姓名： | 张鸿欣 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学CAD所西安 710071 |
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| 摘 要： | 提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟，分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算，通过迭代将分区计算结果连成模块的热场.在计算一个层次单元(芯片、基片或底座)的热场时，将其所在的层次单元(母层次单元)的上表面温度，作为该层次单元下表面的边界条件，而把它上表面上的层次单元(子层次单元)的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源.通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值.提出的层次单元间的耦合强度(即每轮计算中，母层次单元上表面的温度改变不是全部，而是部分用于更新其子层次单元的下表面的边界条件)保证了所有情况下的迭代收敛.层次模型算法不仅速度数量级地高于普通的模块一体计算，而且热场与产生它的热源关系清楚，便于指导模块设计.计算与测量在实验误差(5℃)内符合.
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| 关 键 词： | 层次模型 热场计算 多芯片多基片模块 |
Multilevel Model of Steady Thermal Simulation for Module Having Multichip and Multisubstrate |
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| Keywords: | |
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