| 具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性 |
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| 引用本文： | 张万荣,李志国,穆甫臣,程尧海,孙英华,郭伟玲,陈建新,沈光地,张玉清,张慕义. 具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J]. 半导体学报, 2000, 21(6) |
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| 作者姓名： | 张万荣 李志国 穆甫臣 程尧海 孙英华 郭伟玲 陈建新 沈光地 张玉清 张慕义 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子工程系,北京,100022
2. 信息产业部第13研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 北京市科技新星计划项目 |
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| 摘 要： | 提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法--温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.针对传统AuGeNi/Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统.实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi/Au欧姆接触系统.
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| 关 键 词： | 欧姆接触 可靠性 阻挡层 |
Reliability of n-GaAs Ohmic Contact With TiN Diffusion Barrier |
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| ZHANG Wan-rong,LI Zhi-guo,MU Fu-chen,CHENG Yao-hai,SUN Ying-hua,GUO Wei-ling,CHEN Jina-xin,SHEN Guang-di,ZHANG Yu-qing,ZHANG Mu-yi. Reliability of n-GaAs Ohmic Contact With TiN Diffusion Barrier[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(6) |
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| Authors: | ZHANG Wan-rong LI Zhi-guo MU Fu-chen CHENG Yao-hai SUN Ying-hua GUO Wei-ling CHEN Jina-xin SHEN Guang-di ZHANG Yu-qing ZHANG Mu-yi |
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