| 薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析 |
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| 引用本文： | 李文宏,罗晋生.薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析[J].半导体学报,2000,21(2). |
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| 作者姓名： | 李文宏 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学微电子学研究所西安 710049 |
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| 摘 要： | 提出了基于二维Poisson方程的薄膜SOI降低表面电场(RESURF结构解析物理模型.并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜SOI RESURF结构击穿电压的方法.利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜SOI RESURF结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系，并定量分析了场SiO2界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响.首次提出了临界场SiO2界面电荷密度的概念，并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系.而且计算结果与MEDICI模拟结果符合得很好.这些为漂移区长度较长的薄膜SOI RESURF结构击穿电压的优化设计提供了理论依据.
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| 关 键 词： | SOI RESURF 击穿电压 |
Breakdown Voltage Analysis for Thin Film SOI RESURF Structure |
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