| 45ps的超高速全耗尽CMOS/SOI环振 |
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| 引用本文： | 刘新宇,孙海峰,海潮和,吴德馨.45ps的超高速全耗尽CMOS/SOI环振[J].半导体学报,2000,21(8). |
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| 作者姓名： | 刘新宇 孙海峰 海潮和 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 亚微米全耗尽SOI(FDSOI)CMOS器件和电路经过工艺投片,取得良好的结果,其中工作电压为5V时,0.8μm全耗尽CMOS/S0I101级环振的单级延迟仅为45ps;随着硅层厚度的减薄和沟道长度的缩小,电路速度得以提高,0.8μm全耗尽CMOS/SOI环振比0.8μm部分耗尽CMOS/SOI环振快30%,比1μm全耗尽CMOS/SOI环振速度提高15%.
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| 关 键 词： | 全耗尽 CMOS/SOI器件 环振 |
Super-Fast Fully Depleted CMOS/SOI Ring Oscillator with Delay Time of 45ps |
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| LIU Xin-yu,SUN Hai-feng,HAI Chao-he,WU De-xin.Super-Fast Fully Depleted CMOS/SOI Ring Oscillator with Delay Time of 45ps[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(8). |
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| Authors: | LIU Xin-yu SUN Hai-feng HAI Chao-he WU De-xin |
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| Keywords: | |
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