|
|||||
|
|
| 大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性 | |
| 引用本文： | 施卫,赵卫,孙小卫,Lam Yee Loy.大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性[J].半导体学报,2000,21(5). |
| 作者姓名： | 施卫 赵卫 孙小卫 Lam Yee Loy |
| 作者单位： | 1. 西安理工大学应用物理系西安 710048 中国 2. 西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室西安 710068 中国 3. 南洋理工大学电气电子工程学院新加坡 639798 |
| 摘 要： | 报道了用ns和fs超快脉冲激光器触发GaAs光电导开关的实验结果.用μJ量级的ns光脉冲触发3mm间隙的GaAs光电导开关,观察到线性和非线性工作模式,峰值电流达560A.当用重复率为76MHz的fs激光脉冲串触发同一器件时,电流脉冲上升时间小于200ps. |
| 关 键 词： | 超快电磁脉冲源 光电导开关EEACC:2560 4250 |
Transit Properties of High Power Ultra-Fast Photoconductive Semiconductor Switch |
|
| Abstract: | Experiments of a GaAs ultra-fast Photo-Conductive Semiconductor Switch (PCSS)are reported. Both the linear and nonlinear modes were observed when triggered by the μJ nano-second laser. The peak current could be as high as 560A. The rise time of the current pulse responses is less than 200ps when triggered with 76MHz femto-second laser. |
| Keywords: | ultra-short electromagnetic pulse source photoconductive switch EEACC: 2560 4250CLC number: TN15 Document code: A Article ID: 0253-4177(2000)05-0421-05 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |