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157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵
引用本文:方高瞻,肖建伟,马骁,谭满清,刘宗顺,刘素平,胡长虹,鲁琳,李秀芳,王梅. 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵[J]. 半导体学报, 2000, 21(1)
作者姓名:方高瞻  肖建伟  马骁  谭满清  刘宗顺  刘素平  胡长虹  鲁琳  李秀芳  王梅
作者单位:中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 北京 100083
摘    要:通过优化设计量子阱结构和列阵结构,减小腔面光功率密度,避免器件腔面灾变损伤,得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵,在热沉温度21℃,脉冲宽度200μs,重复频率100Hz时,输出峰值功率达157W。

关 键 词:激光二极管  列阵  准连续

157W Q-CW AlGaAs/GaAs Linear Laser Diode Arrays
Abstract:
Keywords:
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