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| 氮化铝薄膜的低温沉积 | |
| 引用本文： | 孙剑,吴嘉达,应质峰,施维,凌浩,周筑颖,丁训民,王康林,李富铭. 氮化铝薄膜的低温沉积[J]. 半导体学报, 2000, 21(9) |
| 作者姓名： | 孙剑 吴嘉达 应质峰 施维 凌浩 周筑颖 丁训民 王康林 李富铭 |
| 作者单位： | 1. 复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室,上海,200433 2. 复旦大学现代物理研究所,上海,200433 3. 复旦大学物理系,应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市科技发展基金 |
| 摘 要： | 介绍了一种ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积AlN薄膜的新方法.在ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀Al靶,以低于80℃的衬底温度在Si衬底上沉积了AlN薄膜.结合样品表征和等离子体光谱分析,探讨了膜层沉积的机理,等离子体中活性氮物质的存在是Al-N化合的重要因素,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成. |
| 关 键 词： | 氮化铝 低温沉积 薄膜 |
Low-Temperature Deposition of AIN Films |
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| SUN Jian,WU Jia-da,YING Zhi-feng,SHI Wei,LING Hao,ZHOU Zhu-ying,DING Xun-min,WANG Kang-lin,LI Fu-ming. Low-Temperature Deposition of AIN Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(9) | |
| Authors: | SUN Jian WU Jia-da YING Zhi-feng SHI Wei LING Hao ZHOU Zhu-ying DING Xun-min WANG Kang-lin LI Fu-ming |
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