| 双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性 |
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| 引用本文： | 邵传芬,史常忻. 双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性[J]. 半导体学报, 2000, 21(8) |
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| 作者姓名： | 邵传芬 史常忻 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030 |
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| 摘 要： | 双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成,器件结构为金属-半导体-金属结构,该探测器能经受能量为1.5MeV、剂量高达1000kGy的电子、500kGy的γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试,辐照后器件击穿曲线坚挺,反向漏电流最低为0.48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与X射线的照射量呈线性关系.该探测器在241Am(Ea＝5.48MeV)a粒子辐照下,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为45%和7%.在由90Sr(Eβ=2.27MeV)发出的β粒子辐照下,探测器有最小的电离粒子谱.该探测器对光照也有明显的响应.
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| 关 键 词： | 粒子探测器 GaAs SchOttky势垒 |
Characteristics of Double Schottky Barrier GaAs Particle Detectors |
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| SHAO Chuan-fen,SHI Chang-xin. Characteristics of Double Schottky Barrier GaAs Particle Detectors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(8) |
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| Authors: | SHAO Chuan-fen SHI Chang-xin |
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