| 掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构 |
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| 引用本文： | 陈维德,梁建军,王永谦. 掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构[J]. 半导体学报, 2000, 21(10) |
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| 作者姓名： | 陈维德 梁建军 王永谦 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所，北京 100083中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室，北京 100080
2. 中国科学院半导体研究所，北京 100083；中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室，北京 100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用等离子化学气相淀积方法，改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的a-Si：H,O薄膜.用离子注入方法掺入铒，经300一935℃快速热退火，在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光.氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度，并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系，不是单调地随氧含量的增加而增强.研究了掺铒a-Si:H,O薄膜和微结构，讨论了发光强度与薄膜微结构的关系.
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| 关 键 词： | 铒 a-Si:H,O薄膜 光致发光 |
Photoluminescence and Microstructure of Er-Doped a-Si : H,O Deposited by PECVD |
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| Abstract: | |
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