| UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应 |
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| 引用本文： | 叶志镇,章国强,亓震,黄靖云,卢焕明,赵炳辉,汪雷,袁骏. UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应[J]. 半导体学报, 2000, 21(3) |
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| 作者姓名： | 叶志镇 章国强 亓震 黄靖云 卢焕明 赵炳辉 汪雷 袁骏 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变，同时调节其能带.报道了用UHV/CVD生长的掺碳达2.2％的锗硅碳合金，获得了良好的外延层质量，应变缓解效应明显.使用了X射线衍射(XRD)，二次离子质谱(SIMS)与高分辨电子透射显微镜(HRTEM)对外延层进行检测；使用傅里叶红外吸收光谱(FTIR)确定碳原子处于替代位置，并对实验结果进行了讨论.
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| 关 键 词： | 超高真空化学气相沉积 锗硅碳 应变补偿 外延 |
Effect of Strain Relief on the Si1-x-yGexCy Alloys Grown by Ultra-High Vacuum/Chemical Vapor Deposition |
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