| Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性 |
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| 引用本文： | 程雪梅,郑有炓,刘夏冰,臧岚,朱顺明,韩平,罗志云,江若琏.Si基热氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室温光致发光特性[J].半导体学报,2000,21(7). |
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| 作者姓名： | 程雪梅 郑有炓 刘夏冰 臧岚 朱顺明 韩平 罗志云 江若琏 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，国家攀登计划 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关.
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| 关 键 词： | Si1-x-yGexCy薄膜 湿氧氧化 室温光致发光 |
Room-Temperature Photoluminescence of Thermally Oxidized Si1-x-yGexCy Thin Films on Si (100) Substrates |
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| CHENG Xue-mei,ZHENG You-dou,LIU Xia-bing,ZANG Lan,ZHU Shun-ming,HAN Ping,LUO Zhi-yun,JIANG Ruo-lian.Room-Temperature Photoluminescence of Thermally Oxidized Si1-x-yGexCy Thin Films on Si (100) Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(7). |
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| Authors: | CHENG Xue-mei ZHENG You-dou LIU Xia-bing ZANG Lan ZHU Shun-ming HAN Ping LUO Zhi-yun JIANG Ruo-lian |
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