| ZnSe薄膜的激子光谱 |
| |
| 引用本文： | 盛传祥,王兴军,俞根才,黄大鸣.ZnSe薄膜的激子光谱[J].半导体学报,2000,21(12). |
| |
| 作者姓名： | 盛传祥 王兴军 俞根才 黄大鸣 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| |
| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步弛豫.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响.也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律:束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光(I1峰)随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光(I2峰)则随着厚度增加逐渐增强.
|
| 关 键 词： | ZnSe 激子 光致发光 |
Excitonic Spectra of ZnSe Thin Films Grown on GaAs Substrates |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
