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| a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜微结构的退火行为 | |
| 引用本文： | 郭震宁,黄永箴,郭亨群,李世忱,王启明,WANG Qi-ming. a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜微结构的退火行为[J]. 半导体学报, 2000, 21(6) |
| 作者姓名： | 郭震宁 黄永箴 郭亨群 李世忱 王启明 WANG Qi-ming |
| 作者单位： | 1. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072;华侨大学应用物理系,泉州,362011 2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 3. 华侨大学应用物理系,泉州,362011 4. 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072 |
| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目，国家重点实验室基金 |
| 摘 要： | 采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为.结果表明:a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜经退火处理形成nc-Si/SiO2多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面.纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大.在一定的实验条件下,样品在650℃下退火可形成尺寸大小合适的纳米硅颗粒.初步分析了这种多层复合膜形成的机理. |
| 关 键 词： | 退火 微结构 多层薄膜 |
Annealing Behavior of Microstructure in a-SiOx:H/a-SiOy: H Multilayer Films |
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| GUO Zhen-ning,GUO Zhen-ning,HUANG Yong-zhen,GUO Heng-qun,LI Shi-chen,WANG Qi-ming. Annealing Behavior of Microstructure in a-SiOx:H/a-SiOy: H Multilayer Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(6) | |
| Authors: | GUO Zhen-ning GUO Zhen-ning HUANG Yong-zhen GUO Heng-qun LI Shi-chen WANG Qi-ming |
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