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| InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 | |
| 引用本文： | 陆大成,韩培德,刘祥林,王晓晖,汪度,袁海荣,王良臣,徐萍,姚文卿,高翠华,刘焕章,葛永才,郑东.InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J].半导体学报,2000,21(4). |
| 作者姓名： | 陆大成 韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 袁海荣 王良臣 徐萍 姚文卿 高翠华 刘焕章 葛永才 郑东 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京 100083 2. 中国科学院半导体研究所微电子研发中心，北京 100083 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED |
| 关 键 词： | 绿光LED InGaA/AlGaN 双异质结 |
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