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| SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究 | |
| 引用本文： | 亓文杰,於伟峰,李炳宗,顾志光,黄维宁,姜国宝,张翔九.SiGe／Si异质结构MOS器件栅介质技术研究[J].半导体学报,1996,17(11):858-862. |
| 作者姓名： | 亓文杰 於伟峰 李炳宗 顾志光 黄维宁 姜国宝 张翔九 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，复旦大学表面物理实验室 |
| 摘 要： | 本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件研制，试制成功ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ实验性器件． |
| 关 键 词： | MOS器件 栅介质 SiGe 硅 异质结构 |
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