| 温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响 |
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| 引用本文： | 常伟,范广涵,谭春华,李述体,雷勇,黄琨,郑品棋,陈宇彬. 温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响[J]. 量子电子学报, 2006, 23(6): 876-880 |
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| 作者姓名： | 常伟 范广涵 谭春华 李述体 雷勇 黄琨 郑品棋 陈宇彬 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.
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| 关 键 词： | 光电子学 有机金属化学气相沉积 光子晶体 人工欧泊 温度 |
| 文章编号： | 1007-5461（2006）06-0876-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-30 |
| 修稿时间： | 2005-09-26 |
Effect of crystallization temperature in infilling of InP in SiO2 artificial opals |
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| CHANG Wei,FAN Guang-han,TAN Chun-hua,LI Shu-ti,LEI Yong,HUANG Kun,ZHENG Pin-qi,CHEN Yu-bin. Effect of crystallization temperature in infilling of InP in SiO2 artificial opals[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2006, 23(6): 876-880 |
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| Authors: | CHANG Wei FAN Guang-han TAN Chun-hua LI Shu-ti LEI Yong HUANG Kun ZHENG Pin-qi CHEN Yu-bin |
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| Abstract: | SiO2 artificial opal templates are fabricated, and metal organic chemical vapour deposition is used to infill the voids of prepared silica colloidal crystals with InP. The samples are characterized by scanning electron microscopy and UV-VIS spectroscopy. The results show that the crystallization temperature is an important factor in the infilling of InP. By the increasing of crystallization temperature, the infilling ratio of InP decreases. |
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| Keywords: | optoelectronics metal organic chemical vapor deposition photonic crystal artificial opal temperature |
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