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| 晶体管、MOS器件 | |
| 摘 要： | 0617075耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型〔刊,中〕/刘莉//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—64-68(D)0617076改进的Triquint-Materka PHEMT模型〔刊,中〕/李辉//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—49-51(D)0617077热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化〔刊,中〕/赵要//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—20-24,48(D)0617078LDMOS漂移区结构优化的模拟〔刊,中〕/徐亮//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—6-10(D)0617079铟量子点实现单电子晶体管方法〔刊,中〕/郭荣辉//西安电子科技大学学报.—2006,33(2).… |
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