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| 使用在InP衬底上的GaAs OEIC进行了1.2Gbit/s—52.5km光纤传输 | |
| 引用本文： | 何兴仁.使用在InP衬底上的GaAs OEIC进行了1.2Gbit/s—52.5km光纤传输[J].半导体光电,1988(3). |
| 作者姓名： | 何兴仁 |
| 摘 要： | 日本电气公司在InP衬底上研制成InP光电器件与GaAs电子器件单片集成的1.3μm光通信用发射与接收OEIC。用这种电路块进行了1.2Gbit/s NRZ光信号52.5km光纤无中继传输,接收灵敏度为-26dBm,并保证了4.5dB的光传输余量。发射机芯片含一 |
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