磷陶瓷片状扩散源在CMOSIC中的试用 |
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作者姓名: | 朱静远 丁璇瑛 刘桂华 胡伟全 武夷山 |
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作者单位: | 南京工学院半导外微电子学室(朱静远,丁璇瑛,刘桂华,胡伟全),南京工学院半导外微电子学室(武夷山) |
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摘 要: | 固态片状扩散源有扩散均匀性,重复性好,操作简便,装炉量大等优点,一直为人们所向往,但六十年代,未找到合适的片状磷源材料,至1972年,日本首先发表了片状氮化磷源专利,但由于有热稳定性差等原因,在满足半导体器件和集成电路要求方面不甚理想,因而受到限制,直至1976年美国NJones等报导了PH-1050片状磷源,其所得结果可与pocl3液态
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