半导体锗(Ge)放电加工中的表面钝化研究

实验模拟锗晶体电火花线切割加工过程,提出"钝化膜"这个概念。通过理论分析、观察实验现象、运用XRD技术分析新生成物质,确定这种新生成的物质为电解的锗离子与氢氧根离子反应生成的半导体氧化物。针对锗的钝化,提出两种钝化预防与消除方法,通过实验比较,确定"涂抹法"是预防钝化的有效措施。利用这种方法进行了实验验证与实际加工,与原来的加工方法进行实验对比,发现切割效率、稳定性得到很大的提高与改善。