| MEMS芯片正面结构释放时的保护 |
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| 引用本文： | 张筱朵,秦明.MEMS芯片正面结构释放时的保护[J].纳米技术与精密工程,2007,5(4):335-338. |
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| 作者姓名： | 张筱朵 秦明 |
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| 作者单位： | 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
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| 摘 要： | 提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法．尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时，MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法．将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合，可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下，同时完成正面MEMS结构释放．具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点．
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| 关 键 词： | MEMS后处理 正面腐蚀 正面保护 正面结构释放 |
| 文章编号： | 1672-6030(2007)04-0335-04 |
| 修稿时间： | 2007年8月12日 |
Protection of the Pad and the Structures on Chip During Front-Side Wet Etching in MEMS Post-Processing |
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| ZHANG Xiao-duo,QIN Ming.Protection of the Pad and the Structures on Chip During Front-Side Wet Etching in MEMS Post-Processing[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2007,5(4):335-338. |
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| Authors: | ZHANG Xiao-duo QIN Ming |
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