| 自停止腐蚀工艺的观察 |
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| 引用本文： | 唐圣明,陈思琴,韩明.自停止腐蚀工艺的观察[J].电子显微学报,2001,20(4):408-409. |
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| 作者姓名： | 唐圣明 陈思琴 韩明 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所, |
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| 摘 要： | 自停止腐蚀工艺是在大规模集成电路工艺基础上发展起来的一项腐蚀工艺 ,它利用不同浓度的腐蚀剂对不同掺杂浓度的硅片腐蚀速度差异 ,达到制备一定形状的器件的目的 ,这项工艺在微机械器件的制作中 ,具有特殊的意义。本文即是利用不同浓度的ＫＯＨ溶液对硼掺杂浓度小于 1× 1 0 19ｃｍ- 3 时的 <1 0 0 >硅 ,腐蚀速率为常数 ,而硼掺杂浓度超过该浓度时 ,腐蚀速率迅速下降的特点 ,来制备薄膜的。其主要工艺参数如下 :<1 0 0 >面双面抛光Ｐ型硅片 ,正面氧化 1 μｍ ,光刻硼扩散窗口。预氧化 ,80ｎｍ后 ,浓硼预淀积 ,温度 1 1 0 0℃ ,通Ｎ2 40ｍ…
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| 关 键 词： | 自停止腐蚀工艺 大规模集成电路工艺 腐蚀剂 微机械器件 硅片腐蚀 微悬梁 加速度计结构 |
Study on the technology of self-stop corrosion |
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