掺杂浓度对p型砷化镓（100）表面隧道谱的影响

利用扫描隧道显微镜／扫描隧道谱研究了掺杂浓度对砷化镓（１００）抛光片真实表面电子特性的影响。在针尖样品间距一定时，ｎ型与Ｂ型砷化镓电导隙都随掺杂浓度的降低而显著增大。ｎ型砷化镓的隧道电流／电压特性曲线变化规律与ｐ型的相似但是也存在明显的差异，特别是在正向偏置时掺杂浓度对ｐ型砷化镓隧道电流的影响远比ｎ型的大。隧道谱线形状的差异可以用于定性地区分浅掺杂ｐ－ｎ结ｎ型与ｐ型半导体表面，因此ＳＴＭ／ＳＴＳ有希望成为研究ｐ－ｎ结、超晶格截面和界面特性的重要手段。