| 一种新型的基于pMOS和nMOS阈值电压差的CMOS电压基准源 |
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| 引用本文： | 孔明,郭健民,张科,李文宏. 一种新型的基于pMOS和nMOS阈值电压差的CMOS电压基准源[J]. 半导体学报, 2007, 28(10): 1546-1550 |
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| 作者姓名： | 孔明 郭健民 张科 李文宏 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203 |
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| 基金项目： | DC/DC电源的数字控制算法和ASIC实现研究，批准号：60676013 |
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| 摘 要： | 提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered 0.35mm标准CMOS工艺成功流片,芯片面积为0.022mm2.测试结果表明:输出平均电压在室温下与仿真结果的绝对误差为6mV,在0～100℃范围内温度系数为180ppm/℃,电源调整率为±1.1%.该基准应用于自适应功率管驱动器中.
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| 关 键 词： | 纯MOS结构 电压基准 阈值电压 温度系数 线性调整率 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）10-1546-05 |
| 修稿时间： | 2007-03-26 |
A Novel CMOS Voltage Reference Based on Threshold Voltage Difference Between p-Type and n-Type MOSFETs |
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| Kong Ming,Guo Jianmin,Zhang Ke and Li Wenhong. A Novel CMOS Voltage Reference Based on Threshold Voltage Difference Between p-Type and n-Type MOSFETs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(10): 1546-1550 |
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| Authors: | Kong Ming Guo Jianmin Zhang Ke Li Wenhong |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOS-only voltage reference threshold voltage temperature coefficient line regulation |
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