| 一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法 |
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| 引用本文： | 刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波,宋雨竹,刘训春.一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法[J].半导体学报,2007,28(11):1706-1711. |
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| 作者姓名： | 刘亮 张海英 尹军舰 李潇 徐静波 宋雨竹 刘训春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.
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| 关 键 词： | InP InGaAs/InP 复合沟道 高电子迁移率晶体管 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）11-1706-06 |
| 收稿时间： | 5/28/2007 9:01:18 AM |
| 修稿时间： | 6/20/2007 9:05:28 AM |
A New Method for InGaAs/InP Composite ChannelHEMTs Simulation |
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| Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Xu Jingbo,Song Yuzhu and Liu Xunchun.A New Method for InGaAs/InP Composite ChannelHEMTs Simulation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11):1706-1711. |
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| Authors: | Liu Liang Zhang Haiying Yin Junjian Li Xiao Xu Jingbo Song Yuzhu and Liu Xunchun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | A new method is used to simulate InGaAs/InP composite channel high electron mobility transistors (HEMTs).By coupling the hydrodynamic model and the density gradient model,the electron density distribution in the channel in different electric fields is obtained.This method is faster and more robust than traditional methods and should be applicable to other types of HEMTs simulations.A detailed study of the InGaAs/InP composite channel HEMTs is presented with the help of simulations. |
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| Keywords: | InP InGaAs composite channel HEMTs simulation |
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