| 蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 赵红,邹泽亚,赵文伯,刘挺,杨晓波,廖秀英,王振,周勇,刘万清. 蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长[J]. 半导体学报, 2007, 28(10): 1568-1573 |
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| 作者姓名： | 赵红 邹泽亚 赵文伯 刘挺 杨晓波 廖秀英 王振 周勇 刘万清 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060;中国电子科技集团第四十四研究所,重庆 400060 |
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| 基金项目： | 致谢 本文样品的原子力显微镜的测试工作得到重庆大学数理学院物理系方亮博士的大力支持,在此表示感谢. |
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| 摘 要： | 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
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| 关 键 词： | MOCVD AlN 极性 原子级光滑 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）10-1568-06 |
| 收稿时间： | 2007-04-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-04 |
Epitaxial Growth of Atomically Flat AlN Layers on Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition |
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| Zhao Hong,Zou Zey,Zhao Wenbai,Liu Ting,Yang Xiaobo,Liao Xiuying,Wang Zhen,Zhou Yong and Liu Wanqing. Epitaxial Growth of Atomically Flat AlN Layers on Sapphire Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(10): 1568-1573 |
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| Authors: | Zhao Hong Zou Zey Zhao Wenbai Liu Ting Yang Xiaobo Liao Xiuying Wang Zhen Zhou Yong Liu Wanqing |
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| Affiliation: | Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China;Chongqing Opto-Electronics Research Institute,Chongqing 400060,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD AlN polarity atomically flat |
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