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掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性
引用本文:黄树来,马瑾,盖凌云,姜永超,计峰,马洪磊,余旭浒. 掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性[J]. 太阳能学报, 2005, 26(5): 626-630
作者姓名:黄树来  马瑾  盖凌云  姜永超  计峰  马洪磊  余旭浒
作者单位:1. 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;莱阳农学院理学院,莱阳,265200
2. 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
3. 莱阳农学院理学院,莱阳,265200;石油大学资源与信息学院,昌平,102249
4. 莱阳农学院理学院,莱阳,265200
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60276044)教育部科学技术研究重点项目资助(重点02165)
摘    要:采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1.5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8.0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85%。

关 键 词:磁控溅射  Zn-Sn-O:Sb膜  光电性质
文章编号:0254-0096(2005)05-0626-05
修稿时间:2004-03-16

THE PREPARATION AND PROPERTIES FOR ANTIMONY-DOPED Zn-Sn-O FILMS
Huang Shulai,Ma Jin,Gai lingyun,Jiang Yongchao,Ji Feng,Ma Honglei,Yu Xuhu. THE PREPARATION AND PROPERTIES FOR ANTIMONY-DOPED Zn-Sn-O FILMS[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2005, 26(5): 626-630
Authors:Huang Shulai  Ma Jin  Gai lingyun  Jiang Yongchao  Ji Feng  Ma Honglei  Yu Xuhu
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering  Zn-Sn-O:Sb film  opto-electrical properties
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