| 总剂量效应对CMOS图像传感器中光电二极管钳位电压的影响 |
| |
| 引用本文： | 宋辰昱,申人升,曲杨,刘岩,常玉春. 总剂量效应对CMOS图像传感器中光电二极管钳位电压的影响[J]. 半导体光电, 2021, 42(3): 321-326. DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.004 |
| |
| 作者姓名： | 宋辰昱 申人升 曲杨 刘岩 常玉春 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学微电子学院,辽宁大连116600 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11975066)；工业和信息化部电子第五研究所项目基金项目(JSZL3017610B001).＊通信作者:申人升,常玉春 |
| |
| 摘 要： | 钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量.在辐照条件下,Vpin受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义.文章利用TCAD仿真软件分析了 CIS器件的电学特性,研究了 Vpin受TID影响的机理.结果表明,当辐照引起的氧化物陷阱电荷浓度达到3×1016 cm-3时,浅沟槽隔离(STI)附近的耗尽区将PPD中的pin层与地极电学隔离,从而导致pin层电势易受到传输晶体管TG沟道电势影响而增加,使得相同电子注入条件下PPD可存储的电子增多,复位所需电压增大,导致Vpin随着辐射总剂量增加而增大.
|
| 关 键 词： | 钳位电压 总剂量效应 CMOS图像传感器 TCAD |
| 收稿时间： | 2020-12-18 |
Influence of TID Effect on Pinning Voltage of CIS |
| |
| SONG Chenyu,SHEN Rensheng,QU Yang,LIU Yan,CHANG Yuchun. Influence of TID Effect on Pinning Voltage of CIS[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2021, 42(3): 321-326. DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.004 |
| |
| Authors: | SONG Chenyu SHEN Rensheng QU Yang LIU Yan CHANG Yuchun |
| |
| Affiliation: | School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116600, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | pinning voltage TID CIS TCAD |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
