| 衬底表面处理对原子层沉积法生长GaN薄膜的影响 |
| |
| 引用本文： | 李佳,王文樑,季小红. 衬底表面处理对原子层沉积法生长GaN薄膜的影响[J]. 半导体光电, 2021, 42(3): 375-379, 417. DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.014 |
| |
| 作者姓名： | 李佳 王文樑 季小红 |
| |
| 作者单位： | 华南理工大学材料科学与工程学院,广州510641 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51572092).＊通信作者:季小红 |
| |
| 摘 要： | 采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析.结果表明,经预处理的蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜晶体质量明显提高,沿c轴高度择优取向生长;光学带隙约为3.48 eV;薄膜呈n型导电特性,电阻率为2.551×10-2 Ω·cm,载流子浓度高达1.876×1019 cm-3,迁移率为13.04 cm2·V-1·s-1;薄膜中Ga元素主要与N元素以Ga-N键生成GaN.
|
| 关 键 词： | GaN 等离子增强原子层沉积 外延膜 衬底预处理 |
| 收稿时间： | 2021-04-04 |
Effect of Substrate Pretreatment on the Growth of GaN Films Prepared by Atomic Layer Deposition |
| |
| LI Ji,WANG Wenliang,JI Xiaohong. Effect of Substrate Pretreatment on the Growth of GaN Films Prepared by Atomic Layer Deposition[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2021, 42(3): 375-379, 417. DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.014 |
| |
| Authors: | LI Ji WANG Wenliang JI Xiaohong |
| |
| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510641, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN PEALD epitaxy substrate pretreatment |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
