| 硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究 |
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| 引用本文： | 孙钟林 薛俊明 等. 硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究[J]. 光电子．激光, 2001, 12(12): 1247-1249 |
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| 作者姓名： | 孙钟林 薛俊明 等 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (5 9972 0 13 ) |
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| 摘 要： | 为实现OEIC的全Si化，以适应稀土Er发光的宽带隙半导体材料。研究了C－Si基底上注C形成微晶碳化硅（μc-SiC）的途径。经高浓度注C，在1100－1000℃2h退火，经X－ray与Raman测试证明可以获得μc-SiC结构。因为在宽带隙μc-SiC中能量回传很少，故对Er在波长1．54μm的室温光致发光是有利的。
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| 关 键 词： | 离子注入C 退火 微晶碳化硅 硅 |
| 文章编号： | 1005-0086(2001)12-1247-03 |
| 修稿时间： | 2001-09-07 |
Study on Micro-crystallization of SiC with C Implanted onto Crystal Silicon |
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| SUN Zhong lin,XUE Jun ming,GENG Wei dong,YU Zhen rui,LU Jing gu. Study on Micro-crystallization of SiC with C Implanted onto Crystal Silicon[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2001, 12(12): 1247-1249 |
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| Authors: | SUN Zhong lin XUE Jun ming GENG Wei dong YU Zhen rui LU Jing gu |
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